бисполярный транзистор (BJT)

MMBT5551

Значение параметра атрибута

Каталог продукции Транзистор (BJT)

Транзисторный тип NPN

Ток коллектора (Ic) 600 мА

Пробивное напряжение коллектора (Vceo) 160 В

Мощность 300 МВт

Значение параметра атрибута

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE@Ic, Vce) 100 при 10 мА, 5 В

Характеристическая частота (фут) 100 МГц

Ток отключения коллектора (Icbo) 50 на

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)@Ic, Ib) 200 мВ при 50 мА, 5 мА

Рабочая температура -55℃ ~+150℃@ (Tj)



Домой

телефон

адрес

到底了~